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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。什么是因果论证举例说明句子，什么是因果论证举例说明的方法

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国国家安全(quán)法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共(gòng)和(hé)国(guó)网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来(lái)自中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美(měi)光(guāng)在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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